SK海力士宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。

SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。”

SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。

与此同时，该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误，因此产品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。（美通社，2021年10月20日韩国首尔）