东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件的阵容。
新模块在安装方式上与广泛使用的硅(Si) IGBT模块兼容。它们的低能量损耗特性满足了工业设备对更高效率和更小尺寸的需求，如轨道车辆的转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统。
应用
轨道车辆的逆变器和转换器
可再生能源发电系统
电机控制设备
高频DC-DC转换器
特点
安装方式兼容Si IGBT模块
损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值）, Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A, Tch=150°C
主要规格
（除非另有规定，否则@Tc=25°C） |
部件编号 | MG600Q2YMS3 | MG400V2YMS3 |
封装 | 2-153A1A |
绝对 最大 额定值 | 漏-源电压VDSS (V) | 1200 | 1700 |
栅-源电压VGSS (V) | +25/-10 | +25/-10 |
漏极电流 (DC) ID (A) | 600 | 400 |
漏极电流（脉冲）IDP (A) | 1200 | 800 |
沟道温度Tch (°C) | 150 | 150 |
隔离电压Visol (Vrms) | 4000 | 4000 |
电气 特性 | 漏-源导通电压（感应） VDS(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
源-漏导通电压（感应） VSD(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A |
源-漏关断电压（感应） VSD(off)sense典型值(V) | @VGS =-6V, Tch＝25°C | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A |
开通损耗Eon typ. (mJ) Eon典型值(mJ) | @Tch=150°C | 25 @ VDS=600V, ID=600A | 28 @VDS=900V, ID=400A |
关断损耗Eoff typ. (mJ) Eoff典型值(mJ) | @Tch=150°C | 28 @ VDS=600V, ID=600A | 27 @VDS=900V, ID=400A |
热敏电阻特性 | 额定NTC电阻R典型值(kΩ) | 5.0 | 5.0 |
NTC B值 B典型值(K) | ＠TNTC=25 - 150°C | 3375 | 3375 |
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