2026年3月4日讯,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置并在其中集成了两个600V氮化镓（GaN）开关，带有高低侧栅极驱动器与自举二极管，提供紧凑且散热优化的功率级，进一步降低设计复杂度。通过将诸多关键功能集成到一个经过优化的封装中，该系列减少了外部元件数量、缓解了快速开关型GaN器件常见的PCB布局难题，并帮助设计师缩短了开发周期，同时实现了GaN技术的核心优势：更高的开关频率、更低的开关与导通损耗，以及更高的功率密度。
英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列通过集成式半桥解决方案，进一步提升氮化镓的易用性
英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN正在变革电力转换领域。英飞凌的使命是通过可扩展且易于使用的解决方案，助力客户充分实现这一变革。这次新推出的集成式解决方案集高速GaN性能、高集成度和可靠性于一身，可帮助设计师加快开发进程、缩小系统体积，并提升效率，突破紧凑型电力电子产品的极限。”
该集成式半桥解决方案是面向低功耗电机驱动系统和开关模式电源而设计，可在空间有限的设计中实现更小的磁性元件与无源元件，更高的全工况效率及动态性能。该器件专为高速精密系统而设计，可实现超快开关，传播延迟仅为98 ns，并且失配极小，在支持高效高频运行的同时保持可预测的时序表现。为简化系统集成，该解决方案提供兼容标准逻辑电平的PWM输入，仅需单个12V栅极驱动供电。同时，快速UVLO恢复功能可帮助确保启动及电源瞬态事件中的稳定性。为获得出色的散热性能，该产品采用6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盘封装，可在众多应用场景中实现高效散热并支持无散热片设计。
这些新的解决方案将成熟的CoolGaN™器件技术、系统级集成能力，以及深厚的功率转换专业知识结合起来，进一步巩固了英飞凌在GaN市场的领先地位，使客户能够更加从容地采用GaN技术，并在工业电子和消费电子平台上实现高效设计的规模化应用。
（刘立庆 图/文：英飞凌科技(中国)有限公司）
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