2026年6月11日讯，绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以R_DS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。

英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等应用做了专属优化

与上一代产品OptiMOS™ 5相比，全新OptiMOS™ 8在性价比和易用性方面均实现了显著提升，R_DS(on)降幅最高达44%。该产品在电机驱动逆变器应用中的峰值电流输出能力最高提升18%，树立了全新的行业标杆。对于电池管理系统（BMS）中的电池保护等静态开关应用，R_DS(on)的优化可实现更高的功率密度、更少的元器件用量，以及进一步改善的热性能。

随着AI数据中心功率规模持续提升，电池备份单元（BBU）的功率密度要求也在不断提高。OptiMOS™ 8 100V可满足大功率BBU系统的最高功率密度要求，精准契合这一发展趋势。

OptiMOS™ 8 100V具备小于0.8V的严格ΔVGS(th)规格，同时搭配低跨导（gfs）特性，可实现最佳均流效果，提升系统可靠性。为覆盖广泛应用场景，OptiMOS™ 8系列提供丰富的封装选择，包括采用带夹片技术的封装方案，如带铜夹的TOLL封装，以及成熟的SuperSO8 5x6封装，两类封装均可实现更出色的热性能。

英飞凌近期推出的参考设计，在实际应用场景中验证了这些产品性能。该参考板将OptiMOS™ 8 100V与XENSIV™ TMR电流传感器、PSOC™ Control C3微控制器相结合，为电池供电低空物流应用实现磁场定向控制（FOC），是一款面向电子调速器（ESC）的开箱即用解决方案。

（刘立庆  通讯员：英飞凌科技(中国)有限公司）