日前，在西安举办的第七届光电子集成芯片立强大会上，联办单位陕西光电子先导院科技有限公司（以下简称“陕西光电子先导院”）首次对外公开西北首条8英寸硅光中试平台量产级核心工艺数据，同步发布LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套工艺设计套件（PDK），正式面向全产业链开放流片服务，并公布部分SOI无源工艺平台核心实测数据。
此次公开的量产级工艺数据，是陕西光电子先导院8英寸硅光中试平台2025年稳定运营以来，首次系统性向行业共享成熟工艺参数。此举补齐了我省硅光集成领域中试产业化关键短板，为人工智能算力、高速光互连、光计算等前沿场景国产光电子芯片研发降本增效提供着国家级制造业中试平台的关键支撑作用。
依托省市区多级资源布局，陕西光电子先导院累计投入超过15亿元，建成集工艺研发、中试流片、中试验证、产学研协同于一体的完整光子产业中试服务体系。2025年，光电子先导院成功入选工信部首批国家级制造业中试平台，是国内首家聚焦光子集成领域的国家级中试载体，也是陕西省首家。
陕西光电子先导院创新构建“1+N”柔性中试平台模式，以6英寸化合物光电芯片、8英寸硅光芯片两条核心中试产线为主体，配套建设硅透镜、MicroLED等多条特色工艺线，配备200余台（套）核心工艺设备，形成多元化、适配性强的中试赋能能力。其中，2023年顺利通线的6英寸化合物光电芯片产线已累计服务客户80余家，产业化验证成果丰硕；2025年稳定投运的8英寸硅光产线，已完整搭建DUV光刻、刻蚀、离子注入、硅基锗外延、金属化等全工序工艺能力，可全面支撑高速光模块收发芯片的技术迭代、样品验证与小批量量产。
在本次大会技术报告中，陕西光电子先导院工艺整合研发团队公开了多项关键量产工艺指标。其中，自研2×2MMI多模干涉耦合器实现C+L波段全覆盖，器件插入损耗、信号不平衡度均控制在高标准区间；SOI无源工艺平台关键技术指标同步对外开放，为国内硅光设计企业提供标准化、可落地的工艺参考依据。
据与会的业内技术人员介绍，波导损耗、MMI插损等核心参数直接决定光芯片良率与产品性能，陕西光电子先导院发布的中试平台量产级核心工艺实测数据，充分印证了工艺体系的稳定性与成熟度。据测算，此前国内光子芯片初创企业依赖海外流片，单轮研发迭代成本超300万元，周期长达12个月。依托陕西光电子先导院8英寸硅光中试平台，企业研发迭代周期可压缩至2到3个月，综合研发成本降至海外的三分之一以内，有效破解了国内硅光企业“建不起产线、验证难、产能受限、市场风险高”的行业痛点。
同步亮相的LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套PDK，对外提供流片服务，精准适配高速光模块及智算中心高速光互连产业需求，可为芯片设计企业提供标准化工艺规范，大幅减少研发盲目试错，加速前沿光电子产品落地应用。
据介绍，依托陕西光电子先导院国家级制造业中试平台的核心牵引作用，西安已集聚一批优质光子企业，构建起“材料—芯片—器件—系统—终端应用”的完整光子产业链条。随着陕西省“追光计划”深入实施，经过5年发展，全省光子企业总数已由2021年的191家增长到2025年的409家，增长114%；总产值由2021年的150亿元提升到2025年的410亿元，增长173%。目前，西安正在持续完善光子产业创新生态，全力冲刺2027年500亿元、2030年千亿级光子产业集群发展目标。
持续深化“化合物光电+硅光+异质集成”三位一体工艺布局，陕西光电子先导院将立足陕西、辐射全国，持续开放成熟中试工艺能力，夯实光子产业自主可控工艺底座，以科技创新赋能新质生产力发展，助力西部光子产业高质量发展。（来源：陕西日报）
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