2026年10月22日讯，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布深化与NVIDIA的合作，共同推动面向AI数据中心800 VDC电源架构的发展。此次于NVIDIA柏林GTC开发者大会期间发布的合作，聚焦于高压中间总线转换器（IBC）。IBC是AI数据中心供电链路中关键的电源转换环节之一，凭借优异的性能优势，英飞凌氮化镓（GaN）技术正成为这一应用场景的重要选择。此次合作建立在双方自2025年5月首次宣布、并于同年10月进一步深化的合作成果基础之上，此前的合作重点围绕实现可维护、支持热插拔的800 VDC服务器机架。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“AI正从根本上重塑我们对电力基础设施的需求，而半导体正是解决这项挑战的核心所在。我们与NVIDIA在800 V电源架构上的合作，充分展现了深厚的半导体专业能力与AI时代所需的创新速度相结合所带来的潜能。以氮化镓为基础的系统解决方案是支撑下一代数据中心的重要驱动力。英飞凌很高兴能够凭借从电网到核心的技术布局，为AI时代的基础设施发展提供关键支持。”
随着AI工作负载带来的巨大功耗增长，数据中心已开始采用中间总线架构。中间总线转换器将为加速卡供电的主总线电压降至较低电压，使后续电源级能高效产生AI处理器所需、电压控制精准的核心电源与负载点（PoL）电源。这种多级转换方式有助于降低配电损耗，同时满足电路板空间、散热限制及持续运行时间方面的严格要求。随着AI基础设施规模扩大，800 VDC正逐步进入AI数据中心的供电架构体系，与现行的交流（AC）及低压直流（DC）架构并行，为高密度算力部署提供更高效的电力分配方案。
氮化镓非常适合满足这些应用需求。与硅相比，GaN功率器件能以更低的损耗实现更快的开关速度，使IBC的开关频率最高可达1 MHz。这使得磁性器件与无源器件的尺寸得以大幅缩小，直接提升功率密度并降低电路板高度；对机柜空间日趋紧张的AI数据中心而言，这是一项关键优势。同时，GaN的低导通损耗与低开关损耗有助于实现行业领先的转换效率，即使单机柜功率持续向兆瓦级攀升，也能有效控制电能转换损耗与发热量，减轻散热负担。这些特性使氮化镓成为目前能同时满足IBC对功率密度、效率及快速瞬态响应要求的主流半导体技术方向。英飞凌凭借多年来在GaN开发和制造领域的技术积累，确立了这项技术的应用优势。结合PSoC™ Control C3与 EiceDRIVER™产品系列，英飞凌已可提供完整的IBC系统解决方案。
英飞凌以氮化镓（GaN）技术推动AI数据中心实现更高效的电能转换
英飞凌的GaN产品组合支持高压IBC级所需的所有电压转换比例，包括800 V转50 V、800 V转12 V以及800 V转6 V，让数据中心运营人员能够灵活优化机柜架构，而无需牺牲功率密度或效率。在兼顾高开关频率、高功率密度与高效率的设计中，GaN功率开关的优势得以充分发挥。英飞凌在功率半导体领域的技术积累，得益于其广泛的内部制造能力以及多年积累的应用与系统技术专长。其产品组合覆盖硅、氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）的IBC解决方案，可支持客户多样化的设计需求。
英飞凌与NVIDIA的合作覆盖整个数据中心的供电链路。除IBC外，合作范围也包括双方于2025年10月宣布的电源路径保护解决方案，聚焦于热插拔控制器功能等安全与维护需求，支持未来的服务器主板适配800 VDC电源架构。
此次深化合作，进一步体现英飞凌在AI基础设施供电链路领域的布局，为完整供电链路提供解决方案，覆盖面向电网的电源供应单元到处理器端的负载点。
（刘立庆）
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