2026年10月28日讯,英飞凌正式宣布，将在欧洲建设全球首座采用300毫米晶圆制程生产下一代氮化镓功率半导体的大规模量产制造工厂。作为项目核心内容，英飞凌计划在2034年前，向其位于奥地利菲拉赫的基地现有洁净室设施投入约11亿欧元，依托现有设施升级实现高效、低成本的产能扩张，工厂预计2027年底正式投产。
英飞凌奥地利菲拉赫基地
该项目旨在响应市场对高性能电源解决方案的快速增长需求。氮化镓作为先进半导体材料，可大幅提升电力转换效率，让电子系统体积更小、能效更高，同时降低能耗与发热，在AI数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人及消费电子等领域都有广泛应用价值。
英飞凌是氮化镓功率电子领域的头部企业，两年前就完成了全球首批300毫米氮化镓晶圆的工艺加工，实现关键技术突破。相比传统200毫米晶圆，300毫米晶圆的单批芯片产出量可达前者的2.3倍，生产效率大幅提升，目前这项技术已进入面向客户的大规模量产转化阶段。
300 mm晶圆上的下一代氮化镓（GaN）功率半导体
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，此次大额投资是企业强化欧洲半导体生态、提升技术自主性的明确行动，投产后英飞凌将成为全球首家实现氮化镓功率电子产品300毫米制程规模化量产的企业，推动氮化镓技术在AI、能源、出行等关键领域快速普及，把技术创新直接转化为客户可获得的实际价值。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck
奥地利联邦总理Christian Stocker指出，这是奥地利高科技产业史上规模最大的单笔投资之一，既体现了市场对奥地利营商环境的认可，也将让菲拉赫成为全球独有的下一代半导体核心技术生产基地，进一步增强区域产业竞争力，保障本土就业与产业价值创造。奥地利拥有充足的高技术人才储备，前沿研发实力处于国际第一梯队，当地产业战略将持续依托这类创新项目，巩固工业领域的全球优势地位。
奥地利联邦经济事务部长Wolfgang Hattmannsdorfer表示，芯片是未来经济的核心基础，其战略价值等同于过去工业时代的石油。奥地利在高能效芯片领域已处于全球领先位置，按人口规模计算的半导体产业研发支出位居欧盟前列，当地产业政策将持续推动先进技术从实验室走向大规模制造，带动全产业链受益。据行业测算，芯片产业每创造1个直接岗位，可在社会其他领域带动6个关联就业岗位，奥地利将在明确的资助标准框架下，为该项目提供最高3.19亿欧元的政策支持，保障公共资金长期服务于本土产业发展与就业保障。
该项目已纳入《欧洲芯片法案》支持范围，欧盟委员会已核准奥地利政府提供3.19亿欧元的相关补助，奥地利联邦经济、能源与旅游部门将在规定时限内完成正式审批。这笔投入不仅将直接扩大欧洲本土先进芯片制造产能，还将带动区域内产学研协同创新，为高校、科研机构、初创企业和中小企业搭建更便捷的先进技术获取通道。
英飞凌科技奥地利股份公司首席执行官Sabine Herlitschka
英飞凌科技奥地利股份公司首席执行官Sabine Herlitschka表示，技术竞争力和产业自主性，本质上来源于前沿研究向工业价值的高效转化，该旗舰项目正是奥地利半导体产业的核心抓手：依托本土基础把创新落地为工业应用，巩固技术领先优势，稳定高技能岗位，带动从高校、科研机构到上下游产业伙伴的整个区域半导体生态共同发展，持续提升欧洲微电子产业的全球竞争力与战略自主性。
本次投资进一步巩固了菲拉赫作为全球功率电子与新型半导体材料核心能力中心的地位。目前英飞凌奥地利团队总规模约5800人，其中4800人驻扎在菲拉赫基地，当地已形成由企业、高校、科研机构和创新型企业共同组成的国际知名微电子产业集群。新工厂投产后，还将与菲拉赫现有功率电子研发体系形成深度协同效应，进一步放大技术优势。
行业分析师预计，氮化镓功率半导体市场规模将在2031年增长至约35亿美元，2025年至2031年期间的复合年增长率约为35%，行业正处于高速增长的爆发阶段。
（刘立庆）
