2026年11月10日讯，英飞凌科技股份公司在奥地利菲拉赫工厂，完成300mm碳化硅晶圆的功能性功率器件加工，成为行业内率先在大规模半导体晶圆厂环境中落地该技术的企业，且该成果可依托现有硅制造设备实现生产转化。这一进展，是英飞凌面向客户搭建高性能碳化硅功率半导体产品矩阵、保障长期稳定供应的重要技术支撑。
▲300 mm碳化硅晶圆：相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的单片晶圆芯片产出数量可达前者的2.3倍。
相较于此前主流的200mm碳化硅晶圆，300mm晶圆的芯片产出能力大幅提升，单片晶圆的芯片生产数量可达200mm晶圆的2.3倍，生产效率得到显著优化。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，这一技术进展进一步巩固了企业在功率系统领域的技术优势，团队的持续攻关，推动300mm碳化硅技术从实验室阶段迈向规模化落地的关键环节。目前英飞凌已在硅、氮化镓、300mm碳化硅三类半导体材料的规模化制造上形成完整布局，为后续产能扩张和业务增长打下坚实基础。
▲英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck手持一片300 mm碳化硅晶圆
这一技术突破，为未来300mm碳化硅全面规模化生产打通了可行路径。英飞凌后续将与客户及产业链伙伴紧密协作，共同规划300mm碳化硅的技术迭代路线与产能爬坡节奏，同时持续优化现有200mm碳化硅制造体系。更成熟的碳化硅功率技术，将兼顾成本优势与稳定供货能力，适配汽车、可再生能源、工业控制以及AI数据中心等多个领域的应用需求。
作为高效电能转换领域的核心半导体材料，碳化硅凭借自身材料特性，可实现更低的功率损耗、更高的功率密度，能够在高电压和高温环境下保持高效运行，广泛应用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电桩、大型储能系统、工业传动装置以及不间断电源等场景。伴随AI数据中心的快速发展，行业对碳化硅的需求持续增长，相关应用也进一步延伸至固态变压器、固态断路器与供电单元等细分领域。
同步取得技术进展的还有冷切割（Cold Split）工艺，英飞凌已在德国德累斯顿工厂完成该技术在300mm碳化硅晶圆上的可行性验证。相较于传统线锯切割工艺，冷切割技术从碳化硅晶锭分离晶圆时，既能减少材料损耗，还可大幅缩短加工时间，在控制资本支出的前提下，从同一晶锭中产出更多可用晶圆。两项技术叠加，将帮助英飞凌根据市场节奏灵活扩大碳化硅生产规模，响应客户的动态需求。
此前英飞凌已宣布投资约11亿欧元，在菲拉赫建设采用300mm晶圆技术的氮化镓功率半导体大规模量产基地，本次碳化硅领域的技术突破，是企业在宽禁带材料领域的又一重要进展。目前英飞凌已掌握硅、碳化硅、氮化镓三类核心半导体材料的300mm晶圆相关技术，进一步完善了自身的制造技术布局。
▲英飞凌现已掌握全部三种材料的300 mm晶圆技术：硅、碳化硅和氮化镓
2026年11月10日至13日举办的慕尼黑electronica展会上，英飞凌将在C3展馆502号展位，首次向公众展出这片完成加工的300mm碳化硅晶圆，同步展出面向智能化、互联化场景的系列创新节能解决方案。
（刘立庆）
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